制造商零件编号：2SK545-11D-TB-E

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 1MA 125MW CP

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：40V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：60μA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值：1mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1.7pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-CP

功率 - 最大值：125mW

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