技术资料
制造商零件编号:2SJ652
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):38 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4360pF @ 20V
功率 - 最大值:2W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220ML
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