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技术资料
制造商零件编号:2N5462G
制造商:ON Semiconductor
描述:JFET P-CH 40V 350MW TO92
系列:-
FET 类型:P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):4mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.8V @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7pF @ 15V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体
供应商器件封装:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW
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