技术资料
制造商零件编号:PSMN0R9-30YLDX
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):0.87 毫欧 @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):109nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7668pF @ 15V
功率 - 最大值:349W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装:SOT-1023
我们提供NXP(恩智浦)全系列IC,包含PSMN0R9-30YLDX官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解PSMN0R9-30YLDX。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015