制造商零件编号：PMXB120EPEZ

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.4A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：309pF @ 15V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）

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