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技术资料
制造商零件编号:PMWD30UN,518
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
系列:TrenchMOS?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):33 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1478pF @ 10V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-TSSOP
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