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技术资料
制造商零件编号:PMPB215ENEAX
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):230 毫欧 @ 1.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):215pF @ 40V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)
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