制造商零件编号：PMPB12UN,115

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 7.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：886pF @ 10V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）

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