制造商零件编号：PML260SN,118

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：294 毫欧 @ 2.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：657pF @ 30V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）

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