制造商零件编号：PMG45UN,115

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 3A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：184pF @ 10V

功率 - 最大值：375mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：6-TSSOP

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