制造商零件编号：PMDPB85UPE,115

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：103 毫欧 @ 1.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：514pF @ 10V

功率 - 最大值：515mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

我们提供NXP(恩智浦)全系列IC，包含PMDPB85UPE,115官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解PMDPB85UPE,115。