制造商零件编号：PMDPB56XN,115

制造商：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：73 毫欧 @ 3.1A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 15V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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