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技术资料
制造商零件编号:PMDPB55XP,115
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):785pF @ 10V
功率 - 最大值:490mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-HUSON(2x2)
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