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PMDPB38UNE,115-NXP
  • 制造商:NXP(恩智浦)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
  • 封装:6-HUSON
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:PMDPB38UNE,115

    制造商:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):46 毫欧 @ 3A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.4nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):268pF @ 10V

    功率 - 最大值:510mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:6-HUSON(2x2)

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