技术资料
制造商零件编号:PMCXB900UEZ
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6DFN
系列:TrenchFET
FET 类型:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):600mA,500mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):21.3pF @ 10V
功率 - 最大值:265mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-DFN (1.1x1)
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