制造商零件编号：PMBFJ112,215

制造商：NXP Semiconductors

描述：JFET N-CH 40V 300MW SOT23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V

漏源极电压 (Vdss)：40V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：50 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)

功率 - 最大值：300mW

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