技术资料
制造商零件编号:PMBFJ109,215
制造商:NXP Semiconductors
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V
漏源极电压 (Vdss):25V
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):40mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):6V @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS(开):12 欧姆
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23 (TO-236AB)
功率 - 最大值:250mW
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