技术资料
制造商零件编号:PHM21NQ15T,518
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
系列:TrenchMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):22.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2080pF @ 25V
功率 - 最大值:62.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-HVSON(6x5)
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