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技术资料
制造商零件编号:PHK18NQ03LT,518
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
系列:TrenchMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 12V
功率 - 最大值:6.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
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