技术资料
制造商零件编号:PHD97NQ03LT,118
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET N-CH TRENCH 25V DPAK
系列:TrenchMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):75A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 12V
功率 - 最大值:107W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
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