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PHD38N02LT,118-NXP
  • 制造商:NXP(恩智浦)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
  • 封装:DPAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:PHD38N02LT,118

    制造商:NXP Semiconductors

    描述:MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK

    系列:TrenchMOS?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):44.7A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 25A,5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.1nC @ 5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 20V

    功率 - 最大值:57.6W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

    供应商器件封装:DPAK

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