技术资料
制造商零件编号:BUK9K35-60E,115
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
系列:TrenchMOS?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):22A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):32 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1081pF @ 25V
功率 - 最大值:38W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装:LFPAK56D
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