技术资料
制造商零件编号:BUK7K5R6-30E,115
制造商:NXP Semiconductors
描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
系列:TrenchMOS?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1969pF @ 25V
功率 - 最大值:64W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装:LFPAK56D
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