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技术资料
制造商零件编号:APTMC120AM08CD3AG
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MODULE SIC DIODE 1200V 250A D3
系列:-
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):250A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 200A, 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 10mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):490nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9500pF @ 1000V
功率 - 最大值:1100W
安装类型:底座安装
封装/外壳:D3
供应商器件封装:D3
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