制造商零件编号：APTM60H23FT1G

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

系列：-

FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：276 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：165nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5316pF @ 25V

功率 - 最大值：208W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

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