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技术资料
制造商零件编号:APTM50H10FT3G
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
系列:-
FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):37A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4367pF @ 25V
功率 - 最大值:312W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
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