制造商零件编号：APTM50DDAM65T3G

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：51A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 25.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7000pF @ 25V

功率 - 最大值：390W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP3

供应商器件封装：SP3

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