制造商零件编号：APTM20DUM05TG

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：333A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 166.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1184nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40800pF @ 25V

功率 - 最大值：1250W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP4

供应商器件封装：SP4

我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC，包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解APTM20DUM05TG。