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技术资料
制造商零件编号:APTM20DHM20TG
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):89A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 44.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):112nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6850pF @ 25V
功率 - 最大值:357W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
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