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APTM20DAM08TG-Microsemi
  • 制造商:Microsemi(美高森美)
  • 应用:场效应管模块
  • 规格:MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  • 封装:SP4
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:APTM20DAM08TG

    制造商:Microsemi Power Products Group

    描述:MOSFET N-CH 200V 208A SP4

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):200V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):208A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 104A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):280nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14400pF @ 25V

    功率 - 最大值:781W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SP4

    供应商器件封装:SP4

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