制造商零件编号：APTM20DAM08TG

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 200V 208A SP4

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：208A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 104A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：280nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14400pF @ 25V

功率 - 最大值：781W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP4

供应商器件封装：SP4

我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC，包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解APTM20DAM08TG。