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技术资料
制造商零件编号:APTM120U10DAG
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):116A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28900pF @ 25V
功率 - 最大值:3290W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
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