制造商零件编号：APTM100U13SG

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET N-CH 1000V 65A J3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：65A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：145 毫欧 @ 32.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2000nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：31600pF @ 25V

功率 - 最大值：1250W

安装类型：底座安装

封装/外壳：J3 模块

供应商器件封装：模块

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