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APTM100U13SG-Microsemi
  • 制造商:Microsemi(美高森美)
  • 应用:场效应管模块
  • 规格:MOSFET N-CH 1000V 65A J3
  • 封装:模块
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:APTM100U13SG

    制造商:Microsemi Power Products Group

    描述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):65A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):145 毫欧 @ 32.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2000nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):31600pF @ 25V

    功率 - 最大值:1250W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:J3 模块

    供应商器件封装:模块

    我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC,包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解APTM100U13SG。

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