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APTGT50H60T1G-Microsemi
  • 制造商:Microsemi(美高森美)
  • 应用:IGBT模块
  • 规格:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
  • 封装:SP1
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:APTGT50H60T1G

    制造商:Microsemi Power Products Group

    描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

    系列:-

    IGBT 类型:沟道和场截止

    配置:全桥反相器

    电压 - 集射极击穿(最大值):600V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A

    功率 - 最大值:176W

    不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A

    电流 - 集电极截止(最大值):250μA

    不同 Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V

    输入:标准

    NTC 热敏电阻:是

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SP1

    供应商器件封装:SP1

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