技术资料
制造商零件编号:APTGT50H60T1G
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
功率 - 最大值:176W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250μA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
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