制造商零件编号：APTC90H12T1G

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

系列：CoolMOS?

FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：900V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6800pF @ 100V

功率 - 最大值：250W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

供应商器件封装：SP1

我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC，包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解APTC90H12T1G。