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APTC60HM70RT3G-Microsemi
  • 制造商:Microsemi(美高森美)
  • 应用:场效应管模块
  • 规格:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
  • 封装:SP3
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:APTC60HM70RT3G

    制造商:Microsemi Power Products Group

    描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F

    系列:CoolMOS?

    FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)+ 桥式整流器

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):600V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):39A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 39A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):259nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7000pF @ 25V

    功率 - 最大值:250W

    安装类型:*

    封装/外壳:SP3

    供应商器件封装:SP3

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