技术资料
制造商零件编号:APTC60DSKM24T3G
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
系列:CoolMOS?
FET 类型:2 N 沟道(双路降压斩波器)
FET 功能:超级结
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):95A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 47.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14400pF @ 25V
功率 - 最大值:462W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
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