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APTC60AM45T1G-Microsemi
  • 制造商:Microsemi(美高森美)
  • 应用:场效应管模块
  • 规格:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
  • 封装:SP1
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:APTC60AM45T1G

    制造商:Microsemi Power Products Group

    描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):600V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):49A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):45 毫欧 @ 24.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7200pF @ 25V

    功率 - 最大值:250W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SP1

    供应商器件封装:SP1

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