技术资料
制造商零件编号:APT75GN120B2G
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A
Current - Collector Pulsed (Icm):225A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:833W
Switching Energy:8045μJ (开), 7640μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:425nC
25°C 时 Td(开/关)值:60ns/620ns
Test Condition:800V, 75A, 1 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-247-3 变式
安装类型:通孔
供应商器件封装:*
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