技术资料
制造商零件编号:APT68GA60LD40
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 600V 121A 520W TO-264
系列:POWER MOS 8?
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):121A
Current - Collector Pulsed (Icm):202A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,40A
功率 - 最大值:520W
Switching Energy:715μJ (开), 607μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:198nC
25°C 时 Td(开/关)值:21ns/133ns
Test Condition:400V, 40A, 4.7 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):22ns
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-264 [L]
我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC,包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解APT68GA60LD40。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015