制造商零件编号：APT65GP60B2G

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A

Current - Collector Pulsed (Icm)：250A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A

功率 - 最大值：833W

Switching Energy：605μJ （开）， 896μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：210nC

25°C 时 Td（开/关）值：30ns/91ns

Test Condition：400V, 65A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC，包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解APT65GP60B2G。