制造商零件编号：APT45GP120B2DQ2G

制造商：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX

系列：POWER MOS 7

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：113A

Current - Collector Pulsed (Icm)：170A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A

功率 - 最大值：625W

Switching Energy：900μJ （开）， 905μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：185nC

25°C 时 Td（开/关）值：18ns/100ns

Test Condition：600V, 45A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC，包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解APT45GP120B2DQ2G。