

技术资料
制造商零件编号:APT35GP120J
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227
系列:POWER MOS 7
IGBT 类型:PT
配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64A
功率 - 最大值:284W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):250μA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies):3.24nF @ 25V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP
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
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