技术资料
制造商零件编号:APT26M100JCU2
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
系列:POWER MOS 8?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:碳化硅 (SiC)
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):26A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):396 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):305nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7868pF @ 25V
功率 - 最大值:543W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227
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