技术资料
制造商零件编号:APT25GP90BDQ1G
制造商:Microsemi Power Products Group
描述:IGBT 900V 72A 417W TO247
系列:POWER MOS 7
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿(最大值):900V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):72A
Current - Collector Pulsed (Icm):110A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值:417W
Switching Energy:370μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:110nC
25°C 时 Td(开/关)值:13ns/55ns
Test Condition:600V, 40A, 4.3 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247 [B]
我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC,包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解APT25GP90BDQ1G。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015