技术资料
制造商零件编号:2N6796U
制造商:Microsemi Commercial Components Group
描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:18-ULCC (9.14x7.49)
我们提供Microsemi(美高森美)全系列IC,包含美高森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解2N6796U。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015