制造商零件编号：TC8020K6-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

系列：-

FET 类型：6 N 和 6 P 沟道

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：56-QFN（8x8）

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