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技术资料
制造商零件编号:TC2320TG-G
制造商:Microchip Technology
描述:MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):110pF @ 25V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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