制造商零件编号：LND150N8-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1000 欧姆 @ 500μA， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 25V

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：SOT-89-3

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