制造商零件编号：DN2535N3-G-P003

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 350V 120MA TO92-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：350V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 欧姆 @ 120mA， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92 （TO-226）

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