制造商零件编号：2N7000-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92-3

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